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CVD 실리콘 카바이드(SiC) 코팅

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SiC 코팅 흑연 서셉터
SiC 코팅 흑연 서셉터

SiC 코팅 흑연 서셉터


Semixlab의 SiC 코팅 흑연 서셉터는 반도체 에피택셜 증착 및 MOCVD와 같은 고온 공정용으로 설계된 고성능 부품입니다. CVD 공정을 통해 고밀도의 화학적으로 불활성인 탄화규소(SiC) 층으로 코팅된 고순도 흑연 기판을 사용합니다. 이 서셉터는 탁월한 열 균일성을 제공하고, 입자 오염을 효과적으로 방지하며, 부품 내구성을 크게 향상시킵니다. 저희 서셉터를 선택하시면 공정 수율을 향상시키고 유지보수 비용을 절감하는 데 도움이 됩니다. 연락 기다리겠습니다.

제품소개

SiC(탄화규소)로 코팅된 흑연 서셉터는 반도체 제조에 필수적인 구성 요소이며, 특히 에피택셜 증착 및 MOCVD(금속 유기 화학 기상 증착)와 같은 까다로운 고온 응용 분야에서 사용됩니다.

이 서셉터는 실리콘 웨이퍼를 탁월한 정밀도로 고정하고 가열하도록 설계되어 균일한 온도 분포와 완벽한 공정 환경을 보장합니다. 당사의 서셉터는 안정적이고 고성능 반도체 소자의 기반이 되는 고품질의 균일한 박막을 생산하는 데 필수적입니다.

Ⅰ. 핵심소재 및 핵심물성

당사의 서셉터는 고순도 흑연 코어와 실리콘 카바이드(SiC) 보호층을 사용하여 전문적으로 제작되었습니다.

고순도 흑연: 흑연 기판은 핵심 구조적 무결성과 열 성능을 제공합니다. 뛰어난 열 안정성 덕분에 매우 높은 온도에서도 변형 없이 작동할 수 있습니다. 흑연의 낮은 열 질량은 빠르고 효율적인 가열 및 냉각을 가능하게 하며, 이는 생산 환경에서 빠른 사이클 타임에 필수적입니다.

탄화규소(SiC) 코팅: SiC 코팅은 CVD(화학 기상 증착) 공정을 통해 흑연에 도포됩니다. 이 공정은 매우 단단하고 화학적으로 불활성인 치밀하고 다공성이 없는 표면을 생성합니다. SiC는 플라즈마 부식과 유해한 공정 가스의 공격에 대한 탁월한 저항성을 제공하여 오염 및 입자 생성을 방지합니다. 이를 통해 깨끗한 공정을 보장하고 부품 수명을 연장하며, 하부 흑연을 손상으로부터 보호합니다.

Ⅱ. 웨이퍼 제조의 기능적 이점

당사의 SiC 코팅 흑연 서셉터는 반도체 제조의 품질과 효율성을 보장하는 데 중요한 역할을 합니다.

● 탁월한 열 균일성: 서셉터 설계는 SiC와 흑연의 열적 특성과 결합하여 열이 웨이퍼 표면 전체에 고르게 분산되도록 합니다. 이는 높은 소자 수율의 핵심인 균일한 필름 두께와 일관된 재료 특성을 달성하는 데 필수적입니다.

● 뛰어난 오염 제어: 비다공성이며 화학적으로 불활성인 SiC 코팅은 흑연 기판에서 가스 방출 및 입자 분리를 방지합니다. 이를 통해 고온 공정에서 흔히 발생하는 웨이퍼 오염 및 결함 위험을 크게 줄일 수 있습니다.

● 향상된 내구성 및 수명: 견고한 SiC 코팅은 마모성 및 부식성 물질로부터 보호막 역할을 하여 서셉터의 작동 수명을 크게 연장합니다. 이를 통해 교체 빈도를 줄이고 전반적인 유지보수 비용을 절감할 수 있습니다.

● 높은 공정 반복성: 안정적이고 일관된 열 및 화학 환경을 제공함으로써 당사의 서셉터는 높은 반복성을 갖춘 공정을 가능하게 합니다. 이러한 일관성은 신뢰할 수 있는 반도체 소자의 대량 생산에 필수적입니다.

Semixlab은 반도체 산업에 프리미엄 부품과 최고의 맞춤형 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. SiC 코팅 흑연 서셉터에 대한 포괄적인 맞춤형 설계 및 제조를 제공합니다. 저희 엔지니어링 팀은 고객과 협력하여 고객의 장비 사양 및 고유한 공정 요구 사항에 완벽하게 부합하는 서셉터를 제작해 드립니다.

기술 사양
CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
부동산 전형적인 가치
결정 구조 FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도 3.21 g / cm³
경도 비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기 2 ~ 10μm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J·kg-1·케이-1
승화 온도 2700 ℃
굽힘 강도 415 MPa RT 4점
영률 430 Gpa 4pt 굽힘, 1300℃
열 전도성 300W·m-1·케이-1
열팽창(CTE) 4.5 × 10-6K-1
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