경질 흑연 펠트

Semixlab 경질 흑연 펠트(RGF)는 SiC 단결정의 물리 기상 수송(PVT) 성장을 위한 핵심 고온 단열 및 열 관리 부품으로 설계되었습니다. 차세대 4H 및 6H SiC 웨이퍼 생산에 사용하도록 설계된 이 경질 펠트는 초저열전도도, 높은 구조적 무결성, 그리고 탁월한 화학적 순도를 결합하여 고성능 SiC 승화로의 핵심 소재로 자리매김했습니다. 이 소재를 적용하면 장기간 생산 사이클 동안 열 구배의 정밀한 제어, 안정적인 성장 조건, 그리고 향상된 결정 품질을 보장합니다.

SiC PVT 공정에서 결함 없는 단결정을 얻으려면 일관되고 균일한 열장을 유지하는 것이 매우 중요합니다. 흑연 경질 펠트는 승화 도가니와 열장 구조를 감싸는 주요 퍼니스 단열재 역할을 합니다. 낮은 열전도도는 불필요한 열 손실을 줄여 SiC 소스와 시드 결정 사이의 목표 온도 구배를 유지합니다. RGF는 반경 방향 및 축 방향 온도 프로파일을 제어함으로써 기저면 전위, 적층 결함 및 마이크로파이프의 형성을 최소화하여 최종 SiC 웨이퍼의 구조적 무결성과 전자적 성능에 직접적인 영향을 미칩니다.

Semixlab 흑연 펠트의 견고한 구조는 단열 성능 외에도 2000°C 이상의 고온 환경에서 기계적 안정성을 제공합니다. 유연하거나 부드러운 펠트와 달리 RGF는 장시간 열 사이클에도 형태를 유지하여 열장을 교란하거나 퍼니스 수명을 저하시킬 수 있는 붕괴나 변형을 방지합니다. 화학적 불활성 특성 덕분에 미립자 방출을 최소화하고 SiC 보울의 오염을 방지합니다. 이는 전력 전자 및 와이드 밴드갭 소자 응용 분야의 고저항 기판 생산에 필수적입니다.

고순도 흑연 탄소와 첨단 고밀도화 기술을 사용하여 제조된 Semixlab Graphite Rigid Felt는 균일한 밀도, 탁월한 치수 안정성, 그리고 장기적인 내구성을 자랑합니다. 열 성능과 기계적 강성이 결합되어 반도체 제조 공장에서 PVT 시스템의 일관된 성장 속도, 재현 가능한 온도 프로파일, 그리고 가동 중단 시간 단축을 달성할 수 있도록 지원합니다. 또한, 퍼니스 열 효율을 최적화하여 에너지 절감에 기여하는 동시에 웨이퍼 균일성과 수율을 향상시킵니다.

Semixlab의 강성 흑연 펠트는 고품질 SiC 단결정 성장을 지원하는 데 필요한 성능, 순도 및 구조적 안정성을 제공하여 제조업체에 차세대 웨이퍼 생산, 연장된 용광로 수명 및 극한의 고온 환경에서의 우수한 열 관리를 위한 견고한 소재 솔루션을 제공합니다.