에칭용 솔리드 SiC 포커스 링

Semixlab의 에칭용 솔리드 SiC 포커스 링은 첨단 소재, 정밀 엔지니어링, 그리고 검증된 공정 성능을 결합합니다. 높은 플라즈마 저항성과 최소한의 오염을 위해 설계되어 까다로운 에칭 환경에서도 탁월한 균일성, 긴 수명, 그리고 안정적인 장비 작동을 보장합니다.

재료 구성 및 주요 특성

Semixlab의 솔리드 SiC 포커스 링은 뛰어난 순도와 제어된 미세 구조를 갖춘 고밀도 소결 SiC로 만들어졌습니다.

핵심 물리적 속성은 다음과 같습니다.

이러한 특성은 까다로운 에칭 조건에서도 안정적이고 반복 가능한 성능을 보장합니다.

반도체 에칭 공정에서의 응용

1. 고밀도 플라즈마 에칭(ICP/RIE)

SiC 포커스 링은 웨이퍼 가장자리 근처의 플라즈마 밀도와 전기장 분포를 안정화시켜 가장자리 과식각을 효과적으로 최소화하고 임계 치수(CD) 균일도를 향상시킵니다. 견고한 내식성은 높은 이온 에너지 노출 시에도 사용 수명을 연장합니다.

2. 심층 반응성 이온 에칭(DRIE)

MEMS 및 전력 소자 제조에 흔히 사용되는 DRIE 공정에서, 솔리드 SiC 포커스 링은 변형 없이 반복적인 이온 충격과 폴리머 증착을 견뎌냅니다. 파티클 발생이 적어 수율 향상 및 유지보수 주기 단축에 기여합니다.

3. 불소 및 염소 기반 에칭 환경

SiC의 화학적 불활성은 할로겐 기반 플라즈마 가스(SF₆, CF₄, Cl₂, BCl₃)와의 반응을 방지하여 장기적인 치수 안정성을 제공하고 챔버를 오염이나 금속 확산으로부터 보호합니다.

4. 고출력 및 장시간 에칭

뛰어난 열 관리 특성을 지닌 SiC는 장시간 고에너지 에칭에서 발생하는 열을 효율적으로 소산시켜, 극심한 온도 사이클에서도 기계적 무결성과 치수 정확도를 유지합니다.

Semixlab의 기술적 장점

1. 첨단소재공학

Semixlab은 정밀 소결 및 고순도 SiC 분말 기술을 활용하여 탁월한 소재 밀도와 미세 구조 균일성을 구현합니다. 각 부품은 CNC 가공 및 경면 연마를 거쳐 정밀한 형상을 보장하고 플라즈마 간섭을 최소화합니다.

2. 완벽한 사용자 정의 기능

저희는 다양한 OEM 에칭 플랫폼(LAM, TEL, AMAT, Oxford 등)에 맞춰 맞춤 설계된 포커스 링을 제공합니다. 플라즈마 환경 및 웨이퍼 크기(200mm / 300mm / 450mm)에 따라 형상, 전도도 및 두께를 최적화할 수 있습니다.

3. 엄격한 품질 테스트

모든 SiC 부품은 다음을 포함한 엄격한 치수, 열 및 플라즈마 저항 표준에 따라 테스트됩니다.

● 밀도 및 기공률 검증

● 플라즈마 침식 시뮬레이션 및 가속 마모 테스트

● 표면 거칠기 검사 (Ra ≤ 0.05 μm)

● 열응력 및 평탄도 인증

Semixlab은 중국의 고순도 탄화규소(SiC) 부품 분야를 선도하는 제조업체로, 첨단 플라즈마 에칭 시스템용 정밀 설계된 솔리드 SiC 포커스 링을 전문으로 합니다. 탁월한 플라즈마 저항성, 열 안정성 및 치수 정밀도를 위해 설계된 각 포커스 링은 균일한 플라즈마 분포와 탁월한 에칭 프로파일 제어를 보장합니다.

맞춤형 설계, 기술 컨설팅 또는 샘플 평가가 필요하시면 당사의 반도체 소재 전문가에게 문의하세요.