고순도 SiC 웨이퍼 보트

4~12인치 제작에 최적화된 열장 솔루션

주요 반도체 제조업체들이 석영 기판에서 SiC 기판으로 전환하는 이유는 무엇일까요?

1150℃에서 결정화로 인해 필연적으로 성능이 저하되는 석영과는 달리, 당사의 SiC 보트는 극한의 열 응력 하에서도 완벽한 기하학적 정밀도를 유지합니다. 고밀도의 CVD SiC 매트릭스는 입자 탈락을 효과적으로 방지합니다. 이는 오늘날의 서브마이크론 제조 공정에서 요구되는 '제로 익스커션(zero-excursion)' 조건을 충족하도록 특별히 설계되었습니다.

당사의 부품은 석영보다 강력한 HF/HNO3 세척에 훨씬 더 잘 견디므로 수명이 길고 교체 비용이 절감됩니다. 최적화된 열 관리로 빠르고 균일한 가열이 가능하여 4인치에서 12인치 웨이퍼의 대량 생산에 필요한 공정 안정성을 제공합니다.

전문가 통찰력

표면 코팅에 크게 의존하는 기존 흑연 보트와 달리, 세믹스랩의 일체형 SiC-on-SiC 구조는 기판과 표면층 사이의 구조적 불일치를 제거합니다. 전체 유닛에 걸쳐 열팽창 계수를 통일함으로써, 업계의 고질적인 문제였던 박리 현상을 해결했습니다. 8인치 및 12인치 대용량 팹에 있어, 이는 단순한 소재 업그레이드가 아니라 총소유비용(TCO)의 혁명입니다. 표준 석영보다 5배 이상 긴 수명을 자랑하는 당사의 솔리드 SiC 보트는 소모품 비용을 장기적인 생산 자산으로 전환시켜 줍니다.

기술 사양 및 사용자 정의

수평형이든 수직형이든 관계없이 고객의 특정 용광로 설치 환경에 맞춰 모든 것을 맞춤 제작하고 웨이퍼 처리 요구 사항에 정확하게 맞출 수 있습니다.

전형적인 신청 

당사의 SiC 보트는 가장 까다로운 제조 환경에서도 견딜 수 있도록 설계되었습니다. Si/SiC 에피택시 공정 중 수소 에칭에도 형태를 완벽하게 유지하며, 높은 순도는 오염 위험이 있는 확산 공정에서 매우 중요합니다. ALD 및 LPCVD 공정에서는 안정적인 열 질량체 역할을 하여 웨이퍼 전체에 박막이 고르게 증착되도록 합니다.

7N 순도와 균일한 밀도를 보장하는 SiC 보트 코팅용 CVD 공정 개략도

1) 7N 초고순도(CVD 캡슐화) 기본 코팅 대신 고밀도 CVD SiC 캡슐화를 사용하여 99.99999%의 전체 순도를 구현합니다. IGBT 및 MOSFET과 같은 고전압 전력 소자의 경우, 이는 선택 사항이 아니라 금속 불순물(Fe, Ni, Cu)로 인한 치명적인 누설 전류 발생을 완전히 차단하는 유일한 방법입니다.

2) 정밀하게 설계된 슬롯 형상 저희는 "하나의 크기로 모든 것을 해결"하는 방식을 지양합니다. 표준 V자형 홈이든, 깨지기 쉬운 얇은 웨이퍼 처리를 위한 특수 U자형 슬롯이든, 저희 CNC 센터는 ±0.05mm의 극한 정밀도를 자랑합니다. 이러한 뛰어난 정밀도는 웨이퍼 흔들림 현상을 근본적으로 제거하고 고속 로봇 이송 중 발생하는 가장자리 응력을 완화합니다.

3) 최적화된 작동 주기 및 열팽창 계수(CTE) 일치 코팅된 보트의 가장 큰 고장 원인은 박리입니다. 당사는 코팅의 접착 강도를 기판의 열팽창 계수(CTE)에 완벽하게 맞추는 방식으로 이 문제를 해결했습니다. 그 결과, 산화 및 확산로에서 끊임없는 열 순환을 견뎌내도 코팅이 벗겨지거나 기판에서 떨어져 나가지 않는 보트를 만들 수 있었습니다.